  团簇型结构，可以不同的腔室完成相同的作业，也可以连续不同的腔室完成不同的作业

  温度范围：360℃~550℃
 

  成膜范围：SiNx、SiOx、SiOx、SiONx、a-Si等

  可以运用于LTPS PECVD工艺，也可以用于柔性封装工艺

   薄膜非均匀性：≤ 5%

  自动调频匹配系统： 射频起辉到稳定时间≤0.1s with either 13.56 or 40.68 MHz

  双真空设计

  整个CVD工艺过程处于超洁净环境，无交叉污染

  配备等离子体自清洗系统，无需开腔体维护，增加正常运行时间